三星Galaxy S6搭载下一代UFS内存

韩国报纸Etnews重点报道了一篇报道，援引三星内部人士的话称，该公司将在即将发布的Galaxy S6中使用下一代NAND闪存存储。有问题的存储技术被称为UFS 2.0，代表通用闪存存储。

UFS可以达到和SSD类似的传输速度，但是和EMMC存储芯片等产品比起来非常便宜。其实比EMMC内存快三倍，传输速度高达1.2 GB/s，功耗比EMMC存储低，导致电池耗尽或过热。据消息人士透露，最近UFS 2.0技术的发展已经造成了EMMC 5.0一半的功耗。

该标准由三星、诺基亚和美光的JEDEC于2007年发起。东芝和SK海力士也参与了UFS 2.0内存的开发。三星预计将在未来几周内开始大规模生产新的NAND闪存存储。

然而，三星并不是单独这样做的。据悉，小米也将在即将推出的产品中使用UFS 2.0 NAND内存。三星非常清楚中国竞争对手的进步。该公司现在是三星和苹果的第三家。虽然有消息称联想终于正式拿下摩托罗拉，但有消息称苹果有市场份额。

除了智能手机，三星还将逐步用UFS技术取代其SD卡和MicroSD卡。第一个可能是Galaxy S6，然后是Galaxy 4。

“UFS是明年智能手机业务的一个重要因素。三星内部消息称：“我们将在旗舰智能手机上推出centered应用。“不过，我们不能透露任何细节，因为明年新智能手机发布的时候还没有完成这款新机型的规格。”